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Infineon Technologies IPL65R1K5C6SATMA1

Name: IPL65R1K5C6SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL65R1K5C6SATMA1
Price: 0.393136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (220 reviews)

Numero parte MFG: IPL65R1K5C6SATMA1

quantità disponibile: 46470 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.393136

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: CoolMOS™ C6 MOSFET N-CH 8TSON

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPL65R1K5C6SATMA1.pdf

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IPL65R1K5C6SATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPL65R1K5C6SATMA1
Numero di parte futuro	FT-IPL65R1K5C6SATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™ C6
IPL65R1K5C6SATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	26.6W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Thin-PAK (5x6)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPL65R1K5C6SATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPL65R1K5C6SATMA1-FT

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