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Infineon Technologies IPI80N06S4L05AKSA2

Name: IPI80N06S4L05AKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI80N06S4L05AKSA2
Availability: InStock
Rating: 4.7 (142 reviews)

Numero parte MFG: IPI80N06S4L05AKSA2

quantità disponibile: 76040 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH TO262-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPI80N06S4L05AKSA2.pdf

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IPI80N06S4L05AKSA2 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPI80N06S4L05AKSA2
Numero di parte futuro	FT-IPI80N06S4L05AKSA2
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPI80N06S4L05AKSA2 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 40A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8180pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	107W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO262-3-1
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI80N06S4L05AKSA2 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPI80N06S4L05AKSA2-FT

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