casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI50R399CPXKSA1
codice articolo del costruttore | IPI50R399CPXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI50R399CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPI50R399CPXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI50R399CPXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI50R399CPXKSA1-FT |
IPD90N06S404ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S404ATMA2
Infineon Technologies
IPD90N06S405ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S405ATMA2
Infineon Technologies
IPD90N06S407ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S407ATMA2
Infineon Technologies
IPD90N06S4L03ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S4L03ATMA2
Infineon Technologies
IPD90N06S4L05ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S4L05ATMA2
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation