casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI50R399CPXKSA1
codice articolo del costruttore | IPI50R399CPXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI50R399CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPI50R399CPXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI50R399CPXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI50R399CPXKSA1-FT |
IPD90N06S404ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S404ATMA2
Infineon Technologies
IPD90N06S405ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S405ATMA2
Infineon Technologies
IPD90N06S407ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S407ATMA2
Infineon Technologies
IPD90N06S4L03ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S4L03ATMA2
Infineon Technologies
IPD90N06S4L05ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S4L05ATMA2
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel