casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI120N08S403AKSA1
codice articolo del costruttore | IPI120N08S403AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI120N08S403AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPI120N08S403AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 223µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 278W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI120N08S403AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI120N08S403AKSA1-FT |
SPD06N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD06N60C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD06N80C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD07N20
Infineon Technologies
SPD07N20GBTMA1
Infineon Technologies
SPD07N60C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD07N60C3T
Infineon Technologies
SPD07N60S5
Infineon Technologies
SPD07N60S5T
Infineon Technologies
SPD08N50C3BTMA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel