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codice articolo del costruttore | IPI120N06S402AKSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI120N06S402AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI120N06S402AKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15750pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 188W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI120N06S402AKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI120N06S402AKSA2-FT |
IPD90N06S4L05ATMA2
Infineon Technologies
IPD90N06S4L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S4L06ATMA2
Infineon Technologies
IPD90P03P404ATMA1
Infineon Technologies
IPD90R1K2C3BTMA1
Infineon Technologies
IPDH4N03LAG
Infineon Technologies
IPDH5N03LA G
Infineon Technologies
IPDH6N03LAG
Infineon Technologies
IRFR024NTRLPBF
Infineon Technologies
IRFR120NTRLPBF
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel