casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI084N06L3GXKSA1
codice articolo del costruttore | IPI084N06L3GXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI084N06L3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI084N06L3GXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 34µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4900pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI084N06L3GXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI084N06L3GXKSA1-FT |
SPD04N50C3T
Infineon Technologies
SPD04N60C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD04N60S5
Infineon Technologies
SPD04N60S5BTMA1
Infineon Technologies
SPD04N80C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD04P10PGBTMA1
Infineon Technologies
SPD06N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD06N60C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD06N80C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD07N20
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation