casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI084N06L3GXKSA1
codice articolo del costruttore | IPI084N06L3GXKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPI084N06L3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI084N06L3GXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 34µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4900pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI084N06L3GXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI084N06L3GXKSA1-FT |
SPD04N50C3T
Infineon Technologies
SPD04N60C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD04N60S5
Infineon Technologies
SPD04N60S5BTMA1
Infineon Technologies
SPD04N80C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD04P10PGBTMA1
Infineon Technologies
SPD06N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD06N60C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD06N80C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD07N20
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.