casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD50R520CP
codice articolo del costruttore | IPD50R520CP |
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Numero di parte futuro | FT-IPD50R520CP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPD50R520CP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 66W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50R520CP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD50R520CP-FT |
IPD082N10N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD088N04LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD090N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD096N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD096N08N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD09N03LA G
Infineon Technologies
IPD09N03LB G
Infineon Technologies
IPD100N06S403ATMA1
Infineon Technologies
IPD100N06S403ATMA2
Infineon Technologies
IPD105N03LGATMA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel