casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD80R2K8CEATMA1
codice articolo del costruttore | IPD80R2K8CEATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD80R2K8CEATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPD80R2K8CEATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD80R2K8CEATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD80R2K8CEATMA1-FT |
IXFP34N65X2M
IXYS
IXFP8N85XM
IXYS
IXTP14N60PM
IXYS
IXTP230N04T4M
IXYS
IXTP24N65X2M
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IXYS
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IXTP8N70X2M
IXYS
IXFP5N100PM
IXYS
IXTP18N60PM
IXYS
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel