casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFP34N65X2M
codice articolo del costruttore | IXFP34N65X2M |
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Numero di parte futuro | FT-IXFP34N65X2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFP34N65X2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Isolated Tab |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP34N65X2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFP34N65X2M-FT |
IXTQ170N10P
IXYS
IXTQ18N60P
IXYS
IXTQ22N60P
IXYS
IXTQ26N60P
IXYS
IXTQ26P20P
IXYS
IXTQ30N50L
IXYS
IXTQ30N50L2
IXYS
IXTQ30N50P
IXYS
IXTQ30N60L2
IXYS
IXTQ30N60P
IXYS
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel