casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPS70R950CEAKMA1
codice articolo del costruttore | IPS70R950CEAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPS70R950CEAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPS70R950CEAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 328pF @ 100V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS70R950CEAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPS70R950CEAKMA1-FT |
IRL3402
Infineon Technologies
IRL3402PBF
Infineon Technologies
IRL3502
Infineon Technologies
IRL3502PBF
Infineon Technologies
IRL3705Z
Infineon Technologies
IRL3714PBF
Infineon Technologies
IRL3714TR
Infineon Technologies
IRL3714Z
Infineon Technologies
IRL3714ZPBF
Infineon Technologies
IRL3715
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel