casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD65R950CFDATMA1
codice articolo del costruttore | IPD65R950CFDATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD65R950CFDATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPD65R950CFDATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 36.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD65R950CFDATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD65R950CFDATMA1-FT |
IPD50N04S308ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S309ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S214ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S214ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S2L13ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S409ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S409ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S4L08ATMA1
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IPD50N06S4L08ATMA2
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
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A3P400-2FGG256I
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A3P125-1VQG100
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5SGXEB6R3F40I3L
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Xilinx Inc.