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codice articolo del costruttore | IPD400N06NGBTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD400N06NGBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD400N06NGBTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 27A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 28µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD400N06NGBTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD400N06NGBTMA1-FT |
SPD04N80C3ATMA1
Infineon Technologies
IPD180N10N3GBTMA1
Infineon Technologies
AUIRLR3410TRL
Infineon Technologies
IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
IPD031N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD031N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD031N03M G
Infineon Technologies
IPD035N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPD038N04NGBTMA1
Infineon Technologies
IPD03N03LA G
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel