casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD50P04P413ATMA1
codice articolo del costruttore | IPD50P04P413ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD50P04P413ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD50P04P413ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 85µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3670pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 58W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-313 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50P04P413ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD50P04P413ATMA1-FT |
IRL3714L
Infineon Technologies
IRL3714LPBF
Infineon Technologies
IRL3714ZL
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IRL3714ZLPBF
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IRL3715L
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IRL3715LPBF
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IRL3715ZCLPBF
Infineon Technologies
IRL3715ZL
Infineon Technologies
IRL3715ZLPBF
Infineon Technologies
IRL3716LPBF
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel