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Infineon Technologies IPD30N06S2L13ATMA4

Name: IPD30N06S2L13ATMA4
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N06S2L13ATMA4
Price: 0.416168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Numero parte MFG: IPD30N06S2L13ATMA4

quantità disponibile: 69900 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.416168

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPD30N06S2L13ATMA4.pdf

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IPD30N06S2L13ATMA4 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPD30N06S2L13ATMA4
Numero di parte futuro	FT-IPD30N06S2L13ATMA4
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPD30N06S2L13ATMA4 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	136W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3-11
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD30N06S2L13ATMA4 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPD30N06S2L13ATMA4-FT

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