casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCU900N60Z
codice articolo del costruttore | FCU900N60Z |
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Numero di parte futuro | FT-FCU900N60Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® II |
FCU900N60Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCU900N60Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCU900N60Z-FT |
IXTQ40N50L2
IXYS
IXTQ42N25P
IXYS
IXTQ44N50P
IXYS
IXTQ470P2
IXYS
IXTQ480P2
IXYS
IXTQ50N20P
IXYS
IXTQ50N25T
IXYS
IXTQ52N30P
IXYS
IXTQ62N15P
IXYS
IXTQ64N25P
IXYS
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel