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codice articolo del costruttore | IPD200N15N3GBTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD200N15N3GBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD200N15N3GBTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD200N15N3GBTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD200N15N3GBTMA1-FT |
IPD135N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD30N06S215ATMA2
Infineon Technologies
IPD30N06S2L13ATMA4
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IPD350N06LGBTMA1
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IPD35N12S3L24ATMA1
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IPD60R380P6ATMA1
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IPD70N03S4L04ATMA1
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IPD90N03S4L03ATMA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
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5SGXEA7H3F35I4
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EP3SE50F780I3
Intel