casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD06P002NATMA1
codice articolo del costruttore | IPD06P002NATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD06P002NATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPD06P002NATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD06P002NATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD06P002NATMA1-FT |
IPB65R110CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB65R150CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB65R190CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB65R310CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB70N12S311ATMA1
Infineon Technologies
IPB70N12S3L12ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N04S2H4ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N07S405ATMA1
Infineon Technologies
IPB80R290C3AATMA1
Infineon Technologies
IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel