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Infineon Technologies IPB70N12S311ATMA1

Numero parte MFG
IPB70N12S311ATMA1
quantità disponibile
53460 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.893968
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
* MOSFET N-CHANNEL100
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IPB70N12S311ATMA1
Numero di parte futuro FT-IPB70N12S311ATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie *
IPB70N12S311ATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET -
Tecnologia -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio -
Pacchetto dispositivo fornitore -
Pacchetto / caso -
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB70N12S311ATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPB70N12S311ATMA1-FT

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