casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB80P03P4L04ATMA1
codice articolo del costruttore | IPB80P03P4L04ATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPB80P03P4L04ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB80P03P4L04ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 253µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +5V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 137W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80P03P4L04ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB80P03P4L04ATMA1-FT |
IPB60R280C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R299CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R299CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R330P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R380C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R385CPATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel