casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB80N06S4L07ATMA2
codice articolo del costruttore | IPB80N06S4L07ATMA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB80N06S4L07ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB80N06S4L07ATMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5680pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S4L07ATMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB80N06S4L07ATMA2-FT |
IPB60R199CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R230P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R250CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R299CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R299CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R330P6ATMA1
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel