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codice articolo del costruttore | IPB50N10S3L16ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB50N10S3L16ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB50N10S3L16ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 60µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4180pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB50N10S3L16ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB50N10S3L16ATMA1-FT |
IPB05N03LAT
Infineon Technologies
IPB05N03LB
Infineon Technologies
IPB05N03LB G
Infineon Technologies
IPB065N06L G
Infineon Technologies
IPB065N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB06CN10N G
Infineon Technologies
IPB06N03LA
Infineon Technologies
IPB06N03LA G
Infineon Technologies
IPB06N03LAT
Infineon Technologies
IPB06N03LB
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel