casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB06N03LA G
codice articolo del costruttore | IPB06N03LA G |
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Numero di parte futuro | FT-IPB06N03LA G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB06N03LA G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2653pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB06N03LA G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB06N03LA G-FT |
AUIRFS3307Z
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XC3S1600E-5FGG320C
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XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
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LCMXO3LF-6900C-6BG400C
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EP4CGX50CF23C7
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5SGXMA3K2F40C2LN
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