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codice articolo del costruttore | IPB052N04NGATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB052N04NGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB052N04NGATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 33µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB052N04NGATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB052N04NGATMA1-FT |
AUIRF540ZS
Infineon Technologies
AUIRF540ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF6215S
Infineon Technologies
AUIRF6215STRL
Infineon Technologies
AUIRF6218S
Infineon Technologies
AUIRF6218STRL
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AUIRFS3006
Infineon Technologies
AUIRFS3107
Infineon Technologies
AUIRFS3206
Infineon Technologies
AUIRFS3206TRL
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel