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codice articolo del costruttore | IPB100N10S305ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB100N10S305ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB100N10S305ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 176nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11570pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB100N10S305ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB100N10S305ATMA1-FT |
AUIRL3705ZS
Infineon Technologies
AUIRL3705ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRLS3034
Infineon Technologies
AUIRLS3036
Infineon Technologies
AUIRLS3036TRL
Infineon Technologies
AUIRLS4030
Infineon Technologies
AUIRLS4030TRL
Infineon Technologies
AUIRLZ24NS
Infineon Technologies
AUIRLZ24NSTRL
Infineon Technologies
AUXCLFZ24NSTRL
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel