casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRLS4030TRL
codice articolo del costruttore | AUIRLS4030TRL |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRLS4030TRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRLS4030TRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 110A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11360pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 370W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRLS4030TRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRLS4030TRL-FT |
IRF840ASTRRPBF
Vishay Siliconix
SIHB8N50D-GE3
Vishay Siliconix
IRFS4228PBF
Infineon Technologies
2SJ661-DL-E
ON Semiconductor
2SJ665-DL-E
ON Semiconductor
2SK3811-ZP-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK3820-DL-E
ON Semiconductor
2SK3943-ZP-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK4065-DL-E
ON Semiconductor
2SK4066-DL-E
ON Semiconductor
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel