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codice articolo del costruttore | IPB060N15N5ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB060N15N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB060N15N5ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 136A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 68A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.6V @ 180µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5300pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7 |
Pacchetto / caso | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB060N15N5ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB060N15N5ATMA1-FT |
FDJ127P
ON Semiconductor
FDJ128N_F077
ON Semiconductor
FDJ129P
ON Semiconductor
FDJ129P_F077
ON Semiconductor
FDM100-0045SP
IXYS
FDM15-06KC5
IXYS
FDM21-05QC
IXYS
FDM47-06KC5
IXYS
FDM606P
ON Semiconductor
FDMA905P_F130
ON Semiconductor
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel