casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDM15-06KC5
codice articolo del costruttore | FDM15-06KC5 |
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Numero di parte futuro | FT-FDM15-06KC5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
FDM15-06KC5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 790µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUSi5-Pak™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDM15-06KC5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDM15-06KC5-FT |
BUK9MRR-55PGG/A,51
Nexperia USA Inc.
BUK9Y1R3-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y1R6-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y1R9-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y2R4-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y2R8-40HX
Nexperia USA Inc.
BXL4004-1E
ON Semiconductor
C3M0065100J-TR
Cree/Wolfspeed
C3M0075120J-TR
Cree/Wolfspeed
CA/JCOP/MF4K/4B-UZ
NXP USA Inc.
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel