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Infineon Technologies AUIRF5210S

Numero parte MFG
AUIRF5210S
quantità disponibile
15890 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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AUIRF5210S specificazioni

codice articolo del costruttore AUIRF5210S
Numero di parte futuro FT-AUIRF5210S
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
AUIRF5210S Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2780pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 170W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF5210S Peso Contattaci
Numero parte di ricambio AUIRF5210S-FT

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