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Infineon Technologies IPA041N04NGXKSA1

Numero parte MFG
IPA041N04NGXKSA1
quantità disponibile
17730 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.024
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 40V TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPA041N04NGXKSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore IPA041N04NGXKSA1
Numero di parte futuro FT-IPA041N04NGXKSA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPA041N04NGXKSA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 45µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-FP
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPA041N04NGXKSA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPA041N04NGXKSA1-FT

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