casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA80R280P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA80R280P7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA80R280P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA80R280P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 7.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 360µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 500V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA80R280P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA80R280P7XKSA1-FT |
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
IRFI4110GPBF
Infineon Technologies
IRLI530NPBF
Infineon Technologies
IRFI4321PBF
Infineon Technologies
IRLI2910PBF
Infineon Technologies
IRLI520NPBF
Infineon Technologies
IRFI4227PBF
Infineon Technologies
IRFIZ24NPBF
Infineon Technologies
IRFIBE30GPBF
Vishay Siliconix
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel