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Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ

Name: TK80S06K3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK80S06K3L(T6L1,NQ
Price: 0.7 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (251 reviews)

Numero parte MFG: TK80S06K3L(T6L1,NQ

quantità disponibile: 57660 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.7

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fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK80S06K3L(T6L1,NQ.pdf

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TK80S06K3L(T6L1,NQ specificazioni

codice articolo del costruttore	TK80S06K3L(T6L1,NQ
Numero di parte futuro	FT-TK80S06K3L(T6L1,NQ
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
TK80S06K3L(T6L1,NQ Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4200pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK+
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK80S06K3L(T6L1,NQ Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK80S06K3L(T6L1,NQ-FT

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