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Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ

Numero parte MFG
TK80S06K3L(T6L1,NQ
quantità disponibile
57660 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.7
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore TK80S06K3L(T6L1,NQ
Numero di parte futuro FT-TK80S06K3L(T6L1,NQ
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSIV
TK80S06K3L(T6L1,NQ Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK+
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK80S06K3L(T6L1,NQ Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TK80S06K3L(T6L1,NQ-FT

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