casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R160C6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R160C6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA60R160C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA60R160C6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 11.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 750µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1660pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 34W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R160C6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R160C6XKSA1-FT |
BSP149L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSP170PE6327
Infineon Technologies
BSP170PE6327T
Infineon Technologies
BSP170PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP171PE6327
Infineon Technologies
BSP171PE6327T
Infineon Technologies
BSP171PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP179H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP295E6327
Infineon Technologies
BSP295E6327T
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel