casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA50R190CE
codice articolo del costruttore | IPA50R190CE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPA50R190CE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA50R190CE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 6.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1137pF @ 100V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA50R190CE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA50R190CE-FT |
IRFIZ48NPBF
Infineon Technologies
TK7A60W5,S5VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35A65W5,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14A65W5,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72A12N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK380A60Y,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK32A12N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel