casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA50R190CE
codice articolo del costruttore | IPA50R190CE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPA50R190CE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA50R190CE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 6.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1137pF @ 100V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA50R190CE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA50R190CE-FT |
IRFIZ48NPBF
Infineon Technologies
TK7A60W5,S5VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35A65W5,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14A65W5,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72A12N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK380A60Y,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK32A12N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel