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codice articolo del costruttore | IMS5SWDBH100J65 |
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Numero di parte futuro | FT-IMS5SWDBH100J65 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-5SWD-65 |
IMS5SWDBH100J65 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | 450mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.62 Ohm Max |
Q @ Freq | 49 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 46MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS5SWDBH100J65 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMS5SWDBH100J65-FT |
IM10RFCLBH1R2K12
Vishay Dale
IM10RFCLBH1R5K12
Vishay Dale
IM10RFCLBH1R8K12
Vishay Dale
IM10RFCLBH220K12
Vishay Dale
IM10RFCLBH221J12
Vishay Dale
IM10RFCLBH222J12
Vishay Dale
IM10RFCLBH222K12
Vishay Dale
IM10RFCLBH271J12
Vishay Dale
IM10RFCLBH2R2K12
Vishay Dale
IM10RFCLBH330J12
Vishay Dale
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel