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codice articolo del costruttore | IMS05RU2R2J |
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Numero di parte futuro | FT-IMS05RU2R2J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-5 |
IMS05RU2R2J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 650mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 190 mOhm Max |
Q @ Freq | 44 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 100MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS05RU2R2J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMS05RU2R2J-FT |
IMS05EB560K
Vishay Dale
IMS05EB561K
Vishay Dale
IMS05EB562K
Vishay Dale
IMS05EB5R6J
Vishay Dale
IMS05EB5R6K
Vishay Dale
IMS05EB680K
Vishay Dale
IMS05EB682K
Vishay Dale
IMS05EB6R8K
Vishay Dale
IMS05EB820K
Vishay Dale
IMS05EB822K
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel