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codice articolo del costruttore | IMS05EB5R6J |
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Numero di parte futuro | FT-IMS05EB5R6J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-5 |
IMS05EB5R6J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 5.6µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 335mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 720 mOhm Max |
Q @ Freq | 44 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 65MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS05EB5R6J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMS05EB5R6J-FT |
IMS05BH332J
Vishay Dale
IMS05BH332K
Vishay Dale
IMS05BH390K
Vishay Dale
IMS05BH391K
Vishay Dale
IMS05BH392K
Vishay Dale
IMS05BH3R3K
Vishay Dale
IMS05BH3R9J
Vishay Dale
IMS05BH3R9K
Vishay Dale
IMS05BH410K
Vishay Dale
IMS05BH470J
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel