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codice articolo del costruttore | IMS02WWDBHR10K40 |
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Numero di parte futuro | FT-IMS02WWDBHR10K40 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-2WWD-40 |
IMS02WWDBHR10K40 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 100nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1.72A |
Corrente - Saturazione | 1.72A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 112 mOhm Max |
Q @ Freq | 42 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 400MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.133" Dia x 0.335" L (3.38mm x 8.51mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02WWDBHR10K40 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMS02WWDBHR10K40-FT |
IMS02ERR47K
Vishay Dale
IMS02ES5R6K
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IMS02RU100K
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IMS02RU1R0K
Vishay Dale
IMS02RU1R2K
Vishay Dale
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel