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codice articolo del costruttore | IMS02RU180K |
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Numero di parte futuro | FT-IMS02RU180K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-2 |
IMS02RU180K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 18µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 108mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 3.8 Ohm Max |
Q @ Freq | 40 @ 2.5MHz |
Frequenza - Autorisonante | 26MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.5MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02RU180K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMS02RU180K-FT |
IMC0402ER33NJ
Vishay Dale
IMC0402ER39NJ
Vishay Dale
IMC0402ER3N3S
Vishay Dale
IMC0402ER3N9S
Vishay Dale
IMC0402ER47NJ
Vishay Dale
IMC0402ER4N7S
Vishay Dale
IMC0402ER56NJ
Vishay Dale
IMC0402ER5N6S
Vishay Dale
IMC0402ER68NJ
Vishay Dale
IMC0402ER6N8J
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel