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codice articolo del costruttore | IMS02EBR10K |
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Numero di parte futuro | FT-IMS02EBR10K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-2 |
IMS02EBR10K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 100nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 670mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 54 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 490MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02EBR10K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMS02EBR10K-FT |
IM10ET103J
Vishay Dale
IM10ET472J
Vishay Dale
IM10EZ472J
Vishay Dale
IM10EZ912J
Vishay Dale
IM10RA392J
Vishay Dale
IM10RA472J
Vishay Dale
IM10RA822J
Vishay Dale
IM10SJ103J
Vishay Dale
IM10SJ562J
Vishay Dale
IM10SK392J
Vishay Dale
EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel