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codice articolo del costruttore | IM10RA822J |
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Numero di parte futuro | FT-IM10RA822J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IM |
IM10RA822J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 8.2mH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 50mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 65 Ohm Max |
Q @ Freq | 80 @ 250kHz |
Frequenza - Autorisonante | 1.05MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 250kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.240" Dia x 0.740" L (6.10mm x 18.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM10RA822J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IM10RA822J-FT |
IM06SS471K
Vishay Dale
IM06SS4R7K
Vishay Dale
IM06SS561J
Vishay Dale
IM06SS5R6K
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IM06SS8R2J
Vishay Dale
IM06SSR33K
Vishay Dale
IM06SSR56J
Vishay Dale
IM06ST100K
Vishay Dale
IM06ST102J
Vishay Dale
IM06ST120K
Vishay Dale
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel