casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / IMS02EB1R8K
codice articolo del costruttore | IMS02EB1R8K |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IMS02EB1R8K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-2 |
IMS02EB1R8K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 1.8µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 217mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 950 mOhm Max |
Q @ Freq | 43 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 105MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02EB1R8K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMS02EB1R8K-FT |
IM10BH472J
Vishay Dale
IM10BH472K
Vishay Dale
IM10BH502J
Vishay Dale
IM10BH502K
Vishay Dale
IM10BH562J
Vishay Dale
IM10BH682J
Vishay Dale
IM10BH822J
Vishay Dale
IM10BH822K
Vishay Dale
IM10EB472J
Vishay Dale
IM10EB472K
Vishay Dale
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
AGLE600V2-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel