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codice articolo del costruttore | IMC1210ER3R9J |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210ER3R9J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210ER3R9J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 250mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 55MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210ER3R9J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210ER3R9J-FT |
IMC1210EB820J
Vishay Dale
IMC1210EB820K
Vishay Dale
IMC1210EB82NJ
Vishay Dale
IMC1210EB82NK
Vishay Dale
IMC1210EB82NM
Vishay Dale
IMC1210EB8R2J
Vishay Dale
IMC1210EB8R2K
Vishay Dale
IMC1210EBR10J
Vishay Dale
IMC1210EBR10K
Vishay Dale
IMC1210EBR10M
Vishay Dale
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation