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codice articolo del costruttore | IMC1210EBR10M |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210EBR10M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EBR10M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 100nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 440 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 700MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR10M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210EBR10M-FT |
IMC1210BNR56J
Vishay Dale
IMC1210BNR56K
Vishay Dale
IMC1210BNR56M
Vishay Dale
IMC1210BNR68J
Vishay Dale
IMC1210BNR68K
Vishay Dale
IMC1210BNR68M
Vishay Dale
IMC1210BNR82J
Vishay Dale
IMC1210BNR82K
Vishay Dale
IMC1210BNR82M
Vishay Dale
IMC1210EB100J
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel