casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / IMC1210EB15NM
codice articolo del costruttore | IMC1210EB15NM |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IMC1210EB15NM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EB15NM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 15nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 661mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 160 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB15NM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210EB15NM-FT |
IMC1210BN270J
Vishay Dale
IMC1210BN270K
Vishay Dale
IMC1210BN27NJ
Vishay Dale
IMC1210BN27NK
Vishay Dale
IMC1210BN2R2J
Vishay Dale
IMC1210BN2R2K
Vishay Dale
IMC1210BN2R7J
Vishay Dale
IMC1210BN2R7K
Vishay Dale
IMC1210BN330J
Vishay Dale
IMC1210BN330K
Vishay Dale
EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel