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codice articolo del costruttore | IMC1210BNR82M |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210BNR82M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210BNR82M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 670 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 140MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210BNR82M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210BNR82M-FT |
IMC1210BN181K
Vishay Dale
IMC1210BN18NK
Vishay Dale
IMC1210BN18NM
Vishay Dale
IMC1210BN1R0J
Vishay Dale
IMC1210BN1R0K
Vishay Dale
IMC1210BN1R2J
Vishay Dale
IMC1210BN1R2K
Vishay Dale
IMC1210BN1R5J
Vishay Dale
IMC1210BN1R5K
Vishay Dale
IMC1210BN1R8J
Vishay Dale
AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K30ETC144-1N
Intel
XC6SLX45-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
Intel
EP2AGX95EF35I5ES
Intel