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codice articolo del costruttore | IMC1210EB470J |
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Numero di parte futuro | FT-IMC1210EB470J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EB470J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 91mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 9 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 14MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB470J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210EB470J-FT |
IMC1210BN82NM
Vishay Dale
IMC1210BN8R2J
Vishay Dale
IMC1210BN8R2K
Vishay Dale
IMC1210BNR10J
Vishay Dale
IMC1210BNR10K
Vishay Dale
IMC1210BNR10M
Vishay Dale
IMC1210BNR12J
Vishay Dale
IMC1210BNR12K
Vishay Dale
IMC1210BNR12M
Vishay Dale
IMC1210BNR15J
Vishay Dale
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel