casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / IMC1210BN3R9J
codice articolo del costruttore | IMC1210BN3R9J |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IMC1210BN3R9J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210BN3R9J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 250mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 55MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210BN3R9J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMC1210BN3R9J-FT |
ISC1210SY6R8J
Vishay Dale
ISC1210SY6R8K
Vishay Dale
ISC1210SY820J
Vishay Dale
ISC1210SY820K
Vishay Dale
ISC1210SY82NK
Vishay Dale
ISC1210SY82NM
Vishay Dale
ISC1210SY8R2J
Vishay Dale
ISC1210SY8R2K
Vishay Dale
ISC1210SYR10J
Vishay Dale
ISC1210SYR10K
Vishay Dale
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel