casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IHW30N160R2FKSA1
codice articolo del costruttore | IHW30N160R2FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IHW30N160R2FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchStop® |
IHW30N160R2FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 312W |
Cambiare energia | 4.37mJ |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 94nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | -/525ns |
Condizione di test | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHW30N160R2FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHW30N160R2FKSA1-FT |
IRGB10B60KDPBF
Infineon Technologies
IRGB30B60K
Infineon Technologies
IRGB4045DPBF
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IRGB4059DPBF
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LFEC3E-4T144C
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XC7K325T-L2FBG900I
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LFEC3E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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