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codice articolo del costruttore | IHB6BV820K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB6BV820K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB6BV820K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 82µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 19.4A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 10 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 2.000" Dia (50.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.500" (38.10mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB6BV820K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB6BV820K-FT |
IHB4BV561K
Vishay Dale
IHB4BV562K
Vishay Dale
IHB4BV680K
Vishay Dale
IHB4BV681K
Vishay Dale
IHB4BV682K
Vishay Dale
IHB4BV820K
Vishay Dale
IHB4BV821K
Vishay Dale
IHB4BV822K
Vishay Dale
IHB4BV8R2M
Vishay Dale
IHB4EB100K
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel