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codice articolo del costruttore | IHB6BV331K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB6BV331K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB6BV331K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 330µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 9.7A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 2.000" Dia (50.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.500" (38.10mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB6BV331K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB6BV331K-FT |
IHB4BV221K
Vishay Dale
IHB4BV222K
Vishay Dale
IHB4BV270K
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IHB4BV271K
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IHB4BV2R2M
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IHB4BV330K
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IHB4BV331K
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IHB4BV332K
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IHB4BV391K
Vishay Dale
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel